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          • CM200DU-24H三菱IGBT模塊

            CM200DU-24H三菱IGBT模塊

            CM200DU-24H三菱IGBT模塊,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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          • CM100TL-24NF三菱IGBT模塊CM100TL-24NF

            三菱IGBT模塊CM100TL-24NF

            三菱IGBT模塊CM100TL-24NF,北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售CM100TL-24NF;三菱6單元IGBT模塊

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            三菱IGBT模塊CM200RL-24NF

            三菱IGBT模塊CM200RL-24NF,北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售CM200RL-24NF;三菱6單元IGBT模塊

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            三菱IGBT模塊CM200TL-24NF

            三菱IGBT模塊CM200TL-24NF,北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售CM200TL-24NF;三菱6單元IGBT模塊

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          • CM600HU-24F三菱IGBT模塊CM600HU-24F

            三菱IGBT模塊CM600HU-24F

            三菱IGBT模塊CM600HU-24F,三菱單管IGBT模塊CM600HU-24F,北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售CM600HU-24F

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          • CM600DY-24S三菱IGBT模塊CM600DY-24S

            三菱IGBT模塊CM600DY-24S

            三菱IGBT模塊CM600DY-24S;北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售IGBT模塊CM600DY-24S;日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM600DY-24S;大功率變頻器常用IGBT模塊CM600DY-24S

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            三菱IGBT模塊CM300DY-24J

            三菱IGBT模塊CM300DY-24J;北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售IGBT模塊CM300DY-24J;日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM300DY-24J;大功率變頻器常用IGBT模塊CM300DY-24J

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          • CM600DY-24H三菱IGBT模塊CM600DY-24H

            三菱IGBT模塊CM600DY-24H

            三菱IGBT模塊CM600DY-24H;北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售IGBT模塊CM600DY-24H;日本三菱1200V大功率IGBT模塊CM600DY-24H;大功率變頻器常用IGBT模塊CM600DY-24H

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            三菱IGBT模塊CM1400DU-24NF

            三菱CM1400DU-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM1400DU-24NF;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N

            三菱CM1200E4C-34N北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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          • CM900DU-24NFCM900DU-24NF三菱IGBT模塊

            CM900DU-24NF三菱IGBT模塊

            三菱CM900DU-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM900DU-24NF;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM300DY-28H

            三菱CM300DY-28H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-28H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM400DY-34A

            三菱CM400DY-34A北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-34A;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM400DY-34H

            三菱CM400DY-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-34H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM400DU-34KA

            三菱CM400DU-34KA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-34KA;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM400DY-50H

            三菱CM400DY-50HH北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-50H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱CM400DY-66H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-66H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱CM600DY-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM600DY-34H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM800E3UA-24F

            三菱CM800E3UA-24FF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM800E3UA-24F;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            三菱IGBT模塊CM800E2UA-24F

            三菱CM800E2UA-24F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM800E2UA-24F;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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