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          • 2MBI600VN-120-50富士IGBT模塊2MBI600VN-120-50

            富士IGBT模塊2MBI600VN-120-50

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            富士IGBT模塊2MBI450VN-120-50

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          • 6MBI450V-170-50富士IGBT模塊6MBI450V-170-50

            富士IGBT模塊6MBI450V-170-50

            富士IGBT模塊6MBI450V-170-50 6單元IGBT模塊6MBI450V-170-50 三相全橋逆變模塊6MBI450V-170-50 北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售6MBI450V-170-50

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            富士IGBT模塊6MBI300V-120-50

            富士IGBT模塊6MBI300V-120-50 6單元IGBT模塊6MBI300V-120-50 三相全橋逆變模塊6MBI300V-120-50 北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售6MBI300V-120-50

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            富士IGBT模塊6MBI225V-120-50

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            富士IGBT模塊7MBR100SB060

            富士IGBT模塊7MBR100SB060,北京京誠宏泰科技有限公司銷售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            富士IGBT功率模塊7MBR50SB060

            富士IGBT功率模塊7MBR50SB060,北京京誠宏泰科技有限公司銷售7MBR50SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            富士IGBT功率模塊7BMR20SC060

            富士IGBT功率模塊7BMR20SC060,北京京誠宏泰科技有限公司銷售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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            富士IGBT集成模塊7MBR25SA120

            富士IGBT集成模塊7MBR25SA120;富士變頻器IGBT模塊;北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售7MBR25SA120;富士7單元IGBT模塊7MBR25SA120

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